型号：IXFH7N80
　　类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω（最大值，@ Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值约为35ns
　　最大功耗（Pd）：200W（@ Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247AC

IXFH7N80具备出色的电气特性和热稳定性，使其成为高压开关应用中的理想选择。其800V的漏源击穿电压确保了在高压母线系统中具备足够的安全裕量，能够应对电网波动或感性负载切换时产生的电压尖峰。器件的最大导通电阻仅为1.6Ω，在7A的工作电流下可显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。此外，低栅极电荷（Qg）和输入电容使得驱动电路设计更为简便，减少了驱动功率需求，并支持更高的开关频率操作，从而有助于缩小磁性元件体积，提升功率密度。
　　该MOSFET还具备较强的雪崩能量耐受能力，能够在非钳位电感开关（UIS）条件下承受一定的能量冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其快速的开关速度和较短的反向恢复时间（trr）有效降低了开关过程中的重叠损耗，减少了电磁干扰（EMI）的发生概率，有利于满足EMC认证要求。同时，由于采用了坚固的平面工艺和高质量封装材料，IXFH7N80在高温、高湿及剧烈温度循环环境下仍能保持稳定性能，适合用于工业级和部分军用级设备。
　　器件的TO-247封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导路径，允许通过外接散热器将内部热量高效散发，确保长时间高负荷运行时的结温处于安全范围内。此外，该封装引脚布局合理，便于PCB布线与模块集成，广泛应用于全桥、半桥及推挽式拓扑结构中。综合来看，IXFH7N80凭借其高耐压、低损耗、高可靠性和易用性，成为众多中高端电力电子系统中不可或缺的核心开关元件。

IXFH7N80广泛应用于多种高电压、大功率的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在高压DC-DC转换器和AC-DC整流后级功率因数校正（PFC）电路中，作为主开关管使用。在太阳能光伏逆变器中，它可用于直流侧斩波或工频/高频逆变阶段，实现高效的能量转换。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统中的逆变电路，提供稳定的交流输出。
　　在工业电机驱动领域，IXFH7N80可用于中小功率变频器的输出级，控制交流电机的速度与转矩。其快速响应能力有助于实现精确的PWM调制，提升控制精度。在感应加热设备（如电磁炉、金属熔炼装置）中，该MOSFET可在串联谐振或并联谐振拓扑中担任高频开关角色，产生交变磁场进行非接触式加热。
　　其他应用还包括高压脉冲发生器、激光电源、电子镇流器、电焊机电源模块以及电动汽车充电设施中的辅助电源单元。由于其具备较高的耐用性和环境适应性，也可用于恶劣工业环境下的自动化控制系统和电力调节装置。无论是在连续工作模式还是间歇性高负载运行条件下，IXFH7N80均能表现出稳定的性能和长久的使用寿命。

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　　 "IXFH8N80",
　　 "IXTH7N80",
　　 "STP7NK80ZFP",
　　 "FQP7N80",
　　 "K2743"
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