时间：2025/6/16 10:29:20
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STD100N03LT4是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和电机驱动应用。其设计能够满足高效能转换需求，同时提供良好的热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：100A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：85nC
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃至150℃
STD100N03LT4具备出色的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，降低了开关损耗。
4. TO-220FP封装形式，便于散热管理并提供良好的机械稳定性。
5. 宽泛的工作温度范围使其在极端环境下依然保持稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
该器件广泛应用于工业和消费电子领域，具体包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 直流/直流转换器及升压电路。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 太阳能逆变器系统。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
IRFZ44N, FDP150N06L, STP100N06LC
