IXFH75N10Q 时间：2025/12/26 10:45:00 阅读：9

IXFH75N10Q是一款由IXYS公司生产的高功率、高性能N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于高电流、高效率的电源转换系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于工业电机控制、逆变器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）以及焊接设备等大功率应用场景。IXFH75N10Q的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能和机械可靠性，能够在高温环境下稳定运行。该MOSFET的额定电压为100V，最大连续漏极电流可达75A，具备较高的功率处理能力，适合在高负载条件下工作。此外，其内部结构设计优化了电场分布，提高了器件的雪崩能量承受能力和抗短路能力，增强了系统的安全性和可靠性。IXFH75N10Q还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动损耗并提升整体系统效率。由于其出色的电气特性和坚固的封装设计，该器件被广泛用于需要高可靠性和高效能的工业级电力电子系统中。

参数

型号：IXFH75N10Q
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）@25°C：75A
　　漏极电流（ID）@100°C：38A
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on)）@max：12.5mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@typ：10.5mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：6300pF
　　输出电容（Coss）：980pF
　　反向传输电容（Crss）：150pF
　　栅极电荷（Qg）@10V：170nC
　　开启延迟时间（td(on)）：28ns
　　上升时间（tr）：85ns
　　关断延迟时间（td(off)）：85ns
　　下降时间（tf）：45ns
　　最大工作结温（Tj）：175°C
　　封装：TO-247

特性

IXFH75N10Q采用了IXYS专有的平面栅极MOSFET工艺，这种先进的制造技术确保了器件在高电压和大电流条件下的优异性能表现。其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为10.5mΩ，在满载工作状态下能够显著降低导通损耗，从而提高电源系统的整体效率。这对于大功率DC-DC变换器或电机驱动器尤为重要，因为这些应用对热管理和能效有严格要求。此外，该器件的高电流承载能力（连续75A，脉冲高达300A）使其能够在瞬态过载或启动冲击电流较大的场合下稳定运行，避免因电流应力导致的早期失效。
　　另一个关键特性是其优秀的开关性能。IXFH75N10Q具有较低的栅极电荷（Qg = 170nC @10V）和输入电容（Ciss = 6300pF），这不仅减少了驱动电路所需的功率，也加快了开关速度，降低了开关损耗。结合快速的开启延迟时间和上升/下降时间，该MOSFET非常适合高频开关应用，如PWM控制器、全桥或半桥拓扑中的主开关元件。同时，器件具备良好的热稳定性，最大结温可达175°C，并通过TO-247封装实现高效的热量传导，便于安装散热器以维持长期可靠运行。
　　安全性方面，IXFH75N10Q设计时充分考虑了实际应用中的异常工况。它具备较强的雪崩能量耐受能力，能够在电源反接、感性负载突卸等情况下吸收瞬态能量而不损坏。此外，其栅氧层经过特殊处理，可承受±20V的栅源电压，提升了抗静电（ESD）和噪声干扰的能力。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的电路拓扑。总体而言，IXFH75N10Q以其高效率、高可靠性和强大的电气性能，成为工业级高功率开关应用中的理想选择。

应用

IXFH75N10Q主要应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。在工业领域，常用于电机驱动器和变频器中作为主开关器件，利用其低导通电阻和高电流能力实现高效能的能量转换。在电源系统中，该器件广泛应用于大功率DC-DC转换器、同步整流模块以及开关模式电源（SMPS），特别是在低压大电流输出的设计中表现出色。此外，它也是不间断电源（UPS）和逆变器系统中的关键组件，用于H桥或全桥拓扑结构中进行直流到交流的转换，提供稳定的正弦波输出。焊接设备如MIG/MAG焊机也大量使用该型号MOSFET，因其能够承受高脉冲电流和频繁的开关操作。新能源系统如太阳能微逆变器和储能系统的双向变换器同样可以采用IXFH75N10Q，以实现高效的能量回馈与调节。此外，在电动汽车充电模块、电池管理系统（BMS）的主动均衡电路以及大功率LED驱动电源中也有广泛应用。得益于其TO-247封装带来的良好散热性能，该器件可在密闭或高温环境中长期稳定运行，满足严苛工业环境下的可靠性需求。