R5460N213AD-TR-FE 是一款由 Rohm 生产的高性能 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的电气性能和可靠性,适合广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。
R5460N213AD-TR-FE 属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 LFPAK88(Power-SOA),能够有效降低热阻并提高散热性能。这种 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、逆变器以及其他功率转换电路。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):60 V
最大栅源电压 (Vgs):±20 V
连续漏极电流 (Id):213 A
导通电阻 (Rds(on)):1.2 mΩ @ Vgs=10V
总栅极电荷 (Qg):79 nC
输入电容 (Ciss):4000 pF
输出电容 (Coss):120 pF
反向传输电容 (Crss):110 pF
工作结温范围 (Tj):-55°C 至 +175°C
封装:LFPAK88
R5460N213AD-TR-FE 的主要特点是其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高电流承载能力。这使得它在高频开关应用中表现出色,并能显著减少功率损耗。
1. 极低的导通电阻 (1.2 mΩ),确保了高效的功率传输和较低的发热。
2. 高额定电流 (213 A),适用于大功率和高负载应用。
3. 快速开关性能得益于较小的栅极电荷 (79 nC) 和优化的寄生电容。
4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应极端环境条件。
5. 封装形式 LFPAK88 提供良好的散热特性和机械稳定性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
这些特性共同使 R5460N213AD-TR-FE 成为高效功率转换和控制的理想选择。
R5460N213AD-TR-FE 广泛应用于需要高性能功率开关的领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关和功率调节模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理部分。
5. 各类消费电子产品中的高效功率转换解决方案。
由于其高电流处理能力和低导通电阻,这款 MOSFET 特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
R5460N213AD-TR, R5460N213AD-TR-F