IXFH69N30 时间：2025/8/6 3:54:07 阅读：19

IXFH69N30是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，设计用于需要高效率和高性能的电力电子应用。该器件具有69A的连续漏极电流和300V的漏源击穿电压，适用于高功率开关应用，例如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动和电源系统。这款MOSFET采用了先进的平面技术，提供了低导通电阻和快速开关特性，有助于减少功率损耗和提高系统效率。

参数

最大漏源电压(Vds)：300V
　　最大漏极电流(Id)：69A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.045Ω
　　栅极电荷(Qg)：约230nC
　　输入电容(Ciss)：约3400pF
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFH69N30具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，它的导通电阻非常低，可以显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有优异的热性能，可以在高温环境下稳定运行，确保长期可靠性。快速的开关速度使其适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统响应速度。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，能够承受一定的过载条件而不损坏。最后，IXFH69N30采用TO-247封装，便于散热设计和安装，适合在紧凑型高功率设备中使用。

应用

该器件广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于：
　　 - 工业电源和UPS系统
　　 - 电机驱动和变频器
　　 - 太阳能逆变器和储能系统
　　 - 电动汽车充电设备
　　 - 高频DC-DC转换器
　　 - 电池管理系统
　　 IXFH69N30的高性能和可靠性使其成为这些关键应用中的理想选择。