时间：2025/8/6 8:44:43
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IXFH68N20是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路、电源转换器和电机控制等领域。该MOSFET具有高电流容量、低导通电阻和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：68A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：最大40mΩ
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247AC
IXFH68N20 MOSFET采用了先进的平面技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件具有高电流承载能力，可支持高达68A的连续漏极电流，适用于高功率应用。此外，其高达200V的漏源击穿电压使其适用于多种高电压工作环境。该MOSFET还具有良好的热稳定性，封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其TO-247AC封装便于安装在散热器上，提高了散热效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），可在不同控制电路中灵活使用。
该MOSFET的开关特性优异，具有较低的开关损耗，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用。同时，其内部结构设计提高了抗雪崩击穿能力，增强了器件的可靠性。此外，IXFH68N20的制造工艺符合RoHS环保标准，适合用于绿色电子设备的设计。
IXFH68N20 MOSFET适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统、电焊机、太阳能逆变器以及各种高功率脉冲宽度调制（PWM）控制器。该器件的高电流和高电压特性使其成为功率电子设计中的理想选择。
IXFH68N20P, IXFH68N25, IXFH50N20, IXFH55N20P
