时间：2025/7/4 23:45:35
阅读：9
DMG6402LVT-7是一款高性能、低功耗的NMOS场效应晶体管（N-Channel MOSFET），由Diodes Incorporated生产。该器件采用SOT-23封装形式，适合用于便携式设备和消费类电子产品中的负载开关、电源管理以及信号切换等应用。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为高效能设计的理想选择。
DMG6402LVT-7的设计重点在于提供较低的静态电流消耗以及较高的工作频率范围，适用于需要紧凑型解决方案的场合。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.5A
导通电阻(Rds(on))：0.95Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：460mW
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
DMG6402LVT-7具有出色的电气性能和可靠性。它的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 支持高达1.5A的连续漏极电流，满足多种应用需求。
3. 工作电压范围宽广，能够在30V的最大漏源电压下稳定运行。
4. 小型SOT-23封装，节省PCB空间，便于小型化设计。
5. 高可靠性和长寿命，适用于恶劣环境条件下的长期使用。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计，支持绿色制造理念。
该MOSFET广泛应用于各种电子电路中，具体包括：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块。
2. 移动通信设备及便携式装置内的电池保护与充电控制。
3. 开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器中的同步整流电路。
4. 信号切换和隔离功能，例如音频或视频信号路径中的切换。
5. 各种工业控制领域中的小型继电器替代方案。
6. LED驱动电路中的开关元件。
DMG2303L-7, DMG2305L-7, BSS138
