时间：2025/7/10 5:02:23
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IXFH50N20是由IXYS公司生产的一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用TO-247封装形式，具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性，适用于工业、通信和消费类电子设备中的高频开关应用。其典型应用场景包括DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及开关电源等。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：50A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总功耗：265W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
IXFH50N20具备以下主要特性：
1. 高耐压能力：200V的漏源电压使其能够承受较高的电压波动。
2. 低导通电阻：仅为0.18Ω，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：短开关时间支持高频应用，从而减少磁性元件体积并提升整体设计紧凑性。
4. 高可靠性：经过严格测试，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 大电流处理能力：连续漏极电流达50A，满足大功率应用需求。
6. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的工作温度区间，适应多种环境条件。
IXFH50N20广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，用于高效能量转换。
2. DC-DC转换器：实现高效的直流电压变换。
3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型逆变器中作为功率开关。
4. 电机驱动：控制电机速度和方向，提供精确的功率输出。
5. 工业自动化设备：例如PLC控制器和伺服驱动器中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品：如家用电器中的功率转换电路。
IRFP250N, IXTH75N20T2
