时间：2025/8/5 19:22:02
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IXFH48N60X3是一款由Littelfuse公司生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用第三代超结（Super Junction）技术。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，具有优异的导通和开关损耗性能。IXFH48N60X3的漏源电压为600V，最大漏极电流可达48A，适用于需要高功率密度和高效能的电源系统，如服务器电源、电信设备电源、工业电源以及太阳能逆变器等。
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：0.155Ω
栅极电荷(Qg)：125nC
输入电容(Ciss)：2050pF
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH48N60X3具有多项先进的技术特性，首先，采用第三代超结技术，使得器件在保持低导通电阻的同时，显著降低了开关损耗，从而提高了整体能效。其次，该MOSFET具备高dv/dt抗扰能力，能够在高压和高频率环境下稳定工作，减少了电磁干扰（EMI）的问题。此外，IXFH48N60X3的热性能优异，其封装设计能够有效散热，提升了器件在高负载条件下的可靠性。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供更强的保护性能。
在栅极驱动方面，IXFH48N60X3的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的负担并提高开关速度。同时，输入电容（Ciss）适中，使其在高频应用中表现出色。IXFH48N60X3的封装采用标准的TO-247形式，便于安装和替换，并具有良好的机械强度和电气隔离性能。这些特性共同确保了IXFH48N60X3在苛刻工作条件下的稳定性和耐用性。
IXFH48N60X3适用于多种高功率、高效率的电力电子系统。其主要应用领域包括服务器和数据中心的电源供应器、工业自动化设备中的开关电源、通信基础设施中的DC-DC转换器以及光伏逆变器等可再生能源系统。此外，由于其良好的热性能和高可靠性，IXFH48N60X3也常用于电动车充电设备、不间断电源（UPS）系统以及高效率LED照明电源等应用场景。在这些应用中，IXFH48N60X3能够提供高效的功率转换性能，同时减少发热和能量损耗，从而提高整体系统的效率和稳定性。
IXFH48N60P3, IXFH48N60Q, IXFH48N60X2
