时间：2025/8/6 11:57:53
阅读：25
IXFH320N10T2是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，适用于如电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：100V
最大连续漏极电流（ID）：190A
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值）
最大功率耗散（PD）：400W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
输入电容（Ciss）：4000pF（典型值）
IXFH320N10T2采用了先进的沟槽技术，具备非常低的导通电阻，从而降低了功率损耗，提高了能效。该器件在高电流条件下依然能保持稳定的工作性能，适用于大功率应用场景。
其高电流承载能力（高达190A）使其在高负载条件下依然可靠。同时，该MOSFET具有出色的热管理能力，能在高温环境下长时间运行，不会出现明显的性能下降或损坏。
该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适合安装在散热器上以提高热传导效率。此外，其高速开关特性适用于高频电源转换器和逆变器应用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围适中，通常在10V左右可实现完全导通，适用于常见的MOSFET驱动电路。其电容特性（如输入电容和输出电容）设计合理，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
IXFH320N10T2广泛应用于各种高功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET在高效能电源转换和高负载开关控制方面表现出色，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车电子系统。
IXFH300N10T2, IXFH400N10T2, IRFP4468PbF, SiHF420BB
