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IXFH30N85X 发布时间 时间:2025/8/6 5:54:48 查看 阅读:16

IXFH30N85X 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高功率和高效率的电源转换应用。这款器件采用 TO-247 封装,具备低导通电阻、高电流容量和优异的热性能,适用于工业电源、电机驱动、DC-DC 转换器、太阳能逆变器等场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流 (Id):30A
  最大漏源电压 (Vds):850V
  导通电阻 (Rds(on)):0.18Ω(最大)
  栅极电荷 (Qg):60nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFH30N85X MOSFET 具备一系列优异的电气和热特性,适用于高功率密度设计。其主要特性包括:
  首先,该器件的高击穿电压(850V)使其能够适应高压应用,例如功率因数校正(PFC)电路和高压 DC-DC 转换器。这种高电压能力结合其较低的导通电阻(Rds(on) 最大为 0.18Ω),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
  其次,该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 30A,支持高功率输出应用,例如工业电机控制和不间断电源(UPS)。此外,其快速开关特性降低了开关损耗,提高了动态性能,非常适合高频开关电路。
  再者,该器件采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。封装结构也便于安装在散热片上,以提高热管理效率。
  最后,IXFH30N85X 还具备出色的抗雪崩能力,增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性和耐用性。这一特性对于电源转换器和电机驱动等可能遭遇电压尖峰的应用尤为重要。

应用

IXFH30N85X 的高电压和高电流能力使其适用于多种功率电子系统。常见应用包括:
  1. 工业电源和开关电源(SMPS):该 MOSFET 的高压耐受能力和低导通电阻,使其成为功率因数校正(PFC)电路和反激式/正激式变换器的理想选择。
  2. 电机驱动和变频器:在工业自动化和电机控制领域,该器件能够提供稳定的高电流输出,同时保持较低的开关损耗,从而提高系统效率。
  3. 太阳能逆变器和储能系统:由于其高击穿电压和良好的热稳定性,IXFH30N85X 适用于光伏逆变器的 DC-AC 转换部分,以及储能系统的功率调节电路。
  4. DC-DC 转换器和负载开关:该器件的快速开关能力和低 Rds(on) 有助于实现高效率的升压或降压转换器,适用于电信和服务器电源系统。
  5. 电动汽车(EV)充电设备:该 MOSFET 可用于 EV 充电机的功率转换模块,提供高可靠性和高效能表现。

替代型号

IXFH30N85X 的替代型号包括:IXFH30N80Q(800V,30A)、IXFH30N90Q(900V,30A)以及 Infineon 的 IPPW30N85C(850V,30A)。

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IXFH30N85X参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥103.11000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)850 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)220 毫欧 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)68 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2460 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)695W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3