时间：2025/8/29 7:49:03
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D425SYGWA/S530-E2 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管系列。该晶体管适用于各种高频放大和开关应用，特别是在通信设备和射频（RF）电路中表现优异。D425SYGWA/S530-E2 采用表面贴装（SMD）封装，型号中的 'S530-E2' 表示其封装形式为 SC-59 或 SOT-25，适用于自动化贴片工艺，具有良好的热稳定性和高频性能。
晶体管类型：NPN
集电极-发射极电压（Vceo）：50V
集电极-基极电压（Vcbo）：50V
发射极-基极电压（Vebo）：5V
集电极电流（Ic）：100mA
功率耗散（Ptot）：300mW
过渡频率（fT）：100MHz
直流电流增益（hFE）：110-800（分档）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
D425SYGWA/S530-E2 晶体管具备优异的高频性能，过渡频率（fT）高达 100MHz，使其非常适合用于射频放大器和高频开关电路。该晶体管的 hFE（直流电流增益）范围较宽，从 110 到 800，根据不同的应用需求可以选择不同增益等级的器件。此外，该晶体管的封装形式为 SOT-25（SC-59），尺寸小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能。
其最大集电极电流为 100mA，在 50V 的 Vceo 和 Vcbo 额定电压下，能够在多种电源条件下稳定工作。晶体管的功率耗散为 300mW，支持在中等功率应用中使用。工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子等对温度适应性要求较高的环境。
D425SYGWA/S530-E2 还具备较低的噪声系数，适合用于低噪声前置放大器设计。此外，其快速开关特性和良好的热稳定性，使其在数字开关电路和射频信号处理中表现出色。
该晶体管广泛应用于射频（RF）放大器、高频振荡器、低噪声前置放大器、数字开关电路、无线通信模块、传感器电路以及汽车电子系统中。此外，D425SYGWA/S530-E2 也常用于便携式电子产品、工业控制设备和测试测量仪器中的信号放大和开关控制功能。
BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222A、S9014
