类型：PNP
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：120V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：120V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　集电极最大电流（IC）：1A
　　集电极最大功耗（PC）：800mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 400
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-126

2SB915作为一款中功率PNP双极结型晶体管，具备多项优良的电气与物理特性，适合在多种模拟和数字电路环境中稳定运行。首先，其集电极-发射极击穿电压高达120V，使其能够在较高电压的应用场合下安全工作，例如在电源管理模块或电机驱动电路中提供可靠的开关功能。同时，该晶体管的最大集电极电流可达1A，能够有效驱动中等功率负载，如小型继电器、指示灯或音频输出级电路。
　　其次，2SB915的直流电流增益（hFE）范围宽广，典型值在70至400之间，这表明它在不同偏置条件下都能保持良好的放大性能，有助于提升电路设计的灵活性。特别是在小信号放大应用中，这种高增益特性可以减少对前级驱动的要求，简化整体电路结构。此外，该器件的过渡频率为150MHz，虽然不属于高频专用晶体管，但在音频频段（20Hz~20kHz）内表现出色，因此非常适合用于前置放大器、音频功率放大器以及低频信号处理系统。
　　从热性能角度看，2SB915采用TO-126塑料封装，具有较好的热传导能力，可在自由空气条件下承受最高800mW的功耗。当实际应用中功耗接近或超过此限值时，建议加装适当尺寸的散热片以延长器件寿命并防止热失效。该器件的工作结温范围为-55℃到+150℃，表明其具备良好的环境适应性，可在较宽的温度范围内保持稳定工作，适用于工业级和部分军用级应用场景。
　　另外，2SB915还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在150mV~300mV之间（IC = 500mA, IB = 50mA条件下），这意味着在开关模式下能量损耗较小，效率较高。这一特性使其成为DC-DC转换器、脉冲宽度调制（PWM）控制电路以及电池供电设备中的理想选择。最后，由于其制造工艺成熟、成本低廉且供货稳定，2SB915在全球范围内得到了广泛应用，并成为许多标准电路设计中的首选元件之一。

2SB915晶体管因其优异的电气性能和稳定性，被广泛应用于多个电子领域。在音频设备中，常用于前置放大器和低功率音频输出级，利用其高电流增益和良好线性特性实现清晰的声音信号放大。在电源管理系统中，该器件可用于过压保护电路、稳压器反馈控制以及DC-DC变换器中的开关调节部分，凭借其120V的耐压能力和1A的电流承载力，能够应对常见的电压波动和负载变化。
　　在工业自动化控制系统中，2SB915经常作为继电器或电磁阀的驱动开关使用。通过微控制器或其他逻辑电路提供的基极信号，它可以高效地控制较大功率的执行机构，实现电气隔离与功率放大双重功能。此外，在家用电器如洗衣机、空调、微波炉等产品中，该晶体管用于控制电机启停、加热元件通断以及显示面板的背光驱动等任务。
　　另一个重要应用是在电池供电设备中，例如便携式仪器仪表、无线遥控装置和智能传感器节点。由于2SB915具有较低的饱和压降和适中的功耗，能够在节能模式下维持较长的工作时间，同时保证足够的驱动能力。此外，它也可用于脉冲信号放大、定时电路和振荡器设计中，作为核心开关或放大元件。
　　值得一提的是，2SB915还可用于替代达林顿对管中的第二级晶体管，或与其他NPN晶体管（如2SD1815）配合构成互补推挽输出级，广泛见于功率放大电路和H桥驱动拓扑中。由于其封装形式为TO-126，安装简便且易于焊接，特别适合手工装配和小批量生产场景。总体而言，2SB915是一款多功能、高性价比的通用型晶体管，适用于从消费电子到工业控制的各种中等功率应用场景。

2SB915(TOSHIBA), 2SB915-O, KSA915, MMBT915, 2SB915TA