IKQ75N120CH3是由英飞凌(Infineon)生产的一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),该器件属于CoolSiC系列,采用了先进的碳化硅(SiC)技术。此IGBT具有高效率、高速开关和低导通损耗的特点,适用于工业电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动以及其他需要高频工作的电力电子设备。
这款芯片的设计旨在满足对功率密度和系统效率有较高要求的应用场景。它结合了碳化硅MOSFET的高效性能与传统IGBT的简单驱动特性,从而降低了系统的总成本并提高了可靠性。
集电极-发射极击穿电压:1200V
连续集电极电流:75A
能量吸收能力EAS:4.6mJ
门极阈值电压:4V
导通电阻Rds(on):16mΩ
开关频率:高达100kHz
封装形式:EasyPACK 2B
IKQ75N120CH3具备以下显著特性:
1. 高效碳化硅技术,降低导通和开关损耗,提高整体系统效率。
2. 支持高频操作,能够有效减小无源元件的尺寸,进而提升功率密度。
3. 具备良好的热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。
4. 内置反向恢复二极管,优化了开关行为并减少了振荡现象。
5. 强大的短路耐受能力,增强了模块的可靠性和鲁棒性。
6. 采用EasyPACK 2B封装,便于焊接和安装,同时提供卓越的电气连接和散热表现。
IKQ75N120CH3主要应用于以下领域:
1. 工业变频器和伺服驱动器,用于精确控制电机速度和扭矩。
2. 太阳能逆变器中,实现高效的直流到交流转换,最大化光伏系统的输出。
3. 不间断电源(UPS)系统,提供可靠的后备电源支持。
4. 电动汽车充电桩,助力快速充电基础设施建设。
5. 风力发电变流器,用于调节风电机组输出的电能质量。
6. 各种高频DC-DC转换器和AC-DC转换器,满足现代电力电子设备的需求。
IKH75N120S3, IKW75N120T3