时间：2025/8/5 21:59:21
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IXFH30N60 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高电流应用设计。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻和良好的热性能，适用于工业电源、电动车辆、太阳能逆变器、电机控制等高要求的电力电子系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：600V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：30A
最大功耗 Pd：200W
导通电阻 Rds(on)：典型值 0.15Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFH30N60 具有优异的电气和热性能，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 采用先进的平面技术，提供良好的短路耐受能力和热稳定性，确保在恶劣工作环境下的可靠性。
该器件的 TO-247 封装形式便于安装和散热，适用于高功率密度设计。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源和电机驱动系统。
IXFH30N60 还具有出色的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在极端条件下保持稳定运行。此外，其栅极驱动特性优化，可与常见的驱动 IC 或控制器兼容，简化电路设计并提高整体系统性能。
IXFH30N60 广泛应用于多种高功率电子系统，包括工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、电机控制器和功率因数校正（PFC）电路等。其优异的开关性能和高耐压能力使其成为需要高可靠性和高效能的电力电子设备的理想选择。
IRF840, FDPF30N60, STF30N60M2
