型号：2SK3821
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：19A（@Tc=75℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（@Vgs=10V, Id=10A）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（@Vgs=4.5V, Id=10A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：2200pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：720pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：140pF（@Vds=15V）
　　栅极电荷（Qg）：40nC（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOP-8（Power SO8）

2SK3821采用了东芝专有的沟槽结构和高密度单元设计，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了系统的能效表现。这种设计特别适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用中，例如笔记本电脑电源管理、移动电源模块以及USB PD快充适配器等。器件的低Rds(on)不仅有助于减小发热，还能减少散热设计的复杂度，进而缩小整体电源模块的体积。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，其输入电容和栅极电荷均处于同类产品中的领先水平，使得在高频PWM控制下仍能保持较低的驱动损耗。这对于提高DC-DC变换器的工作频率、减小外围电感和电容尺寸具有重要意义。此外，2SK3821的阈值电压适中，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动，便于与各种控制器直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　在可靠性方面，2SK3821经过严格的制造工艺控制和质量测试，具备良好的抗雪崩能力和热稳定性。其封装采用高强度引线键合和优化的热传导路径设计，确保在长时间高负载运行条件下仍能维持稳定的性能表现。器件还具备较强的抗静电能力（ESD保护），提高了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。
　　此外，2SK3821的SOP-8小型化封装不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴片生产，适用于大规模量产。其引脚布局经过优化，减少了寄生电感，有利于提升高频开关时的EMI性能。综合来看，2SK3821是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的先进功率MOSFET，非常适合现代高效能、小型化电源系统的设计需求。

2SK3821主要用于各类中低电压、大电流的开关电源系统中，典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，尤其是在多相供电架构中作为上下桥臂开关使用，能够有效提升转换效率并降低温升。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和超极本中，该器件常用于电池充电管理电路和电源路径控制，确保充电过程的安全与高效。
　　在电机驱动领域，2SK3821可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，凭借其快速开关响应和低导通损耗，实现精确的速度与方向控制，广泛应用于打印机、扫描仪、电动玩具和家用电器中。此外，在LED驱动电源中，该MOSFET也可作为恒流调节开关，配合电感和控制IC实现高效的LED照明解决方案。
　　工业控制设备中，2SK3821常见于PLC模块、传感器供电单元和继电器驱动电路，承担电源开关或负载切换功能。由于其具备良好的温度稳定性和长期工作可靠性，适合在恶劣工业环境中长期运行。同时，在电信设备和网络通信电源模块中，该器件也被用于分布式电源架构中的中间总线转换器（IBC）或负载点电源（POL），满足对高效率和高功率密度的需求。
　　值得一提的是，2SK3821还可用于热插拔控制器电路中，作为主电源开关，提供过流保护和软启动功能，防止系统在带电插拔时产生浪涌电流。其快速响应特性和低导通电阻使其成为此类应用的理想选择。综上所述，2SK3821凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，已成为众多电源和功率控制系统中的核心元器件之一。

TPS2375PWPR
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