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IXFH270N06T3 发布时间 时间:2025/8/6 1:59:56 查看 阅读:26

IXFH270N06T3 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和快速开关特性,适合用于同步整流、DC-DC 转换器、电机控制、电源开关等高功率应用场合。IXFH270N06T3 采用 TO-263(D2Pak)表面贴装封装,便于散热和集成。

参数

型号: IXFH270N06T3
  类型: N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds: 60V
  栅源电压 Vgs: ±20V
  最大连续漏极电流 Id: 270A(在 TC=25°C)
  功耗 PD: 400W
  导通电阻 Rds(on): 最大 1.65mΩ(在 Vgs=10V)
  工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  封装类型: TO-263(D2Pak)

特性

IXFH270N06T3 具备多项高性能特性,首先其极低的导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该 MOSFET 采用了先进的沟槽式(Trench)技术,优化了电流传导能力并减少了开关损耗,适用于高频开关应用。此外,其 TO-263 封装设计提供了良好的散热性能,确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。
  器件内部采用了高密度单元设计,提升了电流处理能力,同时具备良好的热稳定性。IXFH270N06T3 的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 20V 的栅源电压,兼容多种驱动电路设计。此外,其快速恢复体二极管特性也使其在同步整流和电机驱动应用中表现出色。
  在可靠性方面,IXFH270N06T3 符合工业级温度要求,可在极端环境下稳定工作。该器件还具有较强的抗雪崩能力,能够承受短时过载和电感负载切换带来的高压冲击。

应用

IXFH270N06T3 常用于各种高功率电子系统中,例如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器、电源开关模块以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通损耗,该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的汽车电子、服务器电源、太阳能逆变器以及储能系统中。

替代型号

IRF2807-10PbF, IXTK270N06T4, IXFN270N06T3, STP270N6F7AG

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IXFH270N06T3参数

  • 现有数量88现货
  • 价格1 : ¥59.15000管件
  • 系列HiperFET?, TrenchT3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.1 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)200 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12600 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)480W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3