型号：IXFH26N50Q
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（V(BR)DSS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：26A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：104A
　　最大栅源电压（VGSS）：±30V
　　最大功耗（PD）：308W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.19Ω（@ VGS=10V, ID=13A）
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0V（典型值，范围3~5V）
　　输入电容（Ciss）：2300pF（@ VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：390pF（@ VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：56ns
　　栅极电荷（Qg）：115nC（@ VGS=10V）
　　二极管反向恢复电荷（Qrr）：105nC
　　工作温度范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247AC

IXFH26N50Q具备优异的电气特性和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高开关速度的结合，使得在高频率开关应用中能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体电源系统的效率。该器件采用了优化的平面MOSFET工艺，在确保高耐压的同时，有效降低了RDS(on)，这对于减少发热和提升功率密度至关重要。其较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本与功耗。此外，输入电容和输出电容的合理匹配使其在高频操作下仍能保持良好的动态响应性能。
　　该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关（UIS）测试中承受一定的能量冲击，增强了在异常工况下的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr=56ns），虽然不如专门的超快恢复二极管，但在许多桥式或续流应用中已能满足需求，减少了对外部二极管的依赖。TO-247封装提供了良好的热传导路径，允许通过散热片将热量高效导出，确保长时间高负载运行下的结温处于安全范围内。器件还具有宽泛的栅源电压范围（±30V），增强了对误触发和静电放电（ESD）的容忍度，提升了现场使用的可靠性。
　　在制造工艺方面，IXYS采用严格的品质控制流程，确保每批次产品具有一致的参数分布和长期稳定性。该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。其坚固的结构设计也使其在恶劣工业环境中表现出良好的耐用性，例如在高温、高湿或电磁干扰较强的场合下仍能稳定工作。综上所述，IXFH26N50Q是一款集高性能、高可靠性和良好热管理于一体的功率MOSFET，适合用于各种中高功率开关电源和电力电子变换系统中。

IXFH26N50Q广泛应用于多种高功率开关电源和电力电子系统中。典型应用场景包括功率因数校正（PFC）电路，尤其是在升压型PFC拓扑中作为主开关管使用，其高耐压和低RDS(on)特性有助于提升能效并满足能源之星等能效标准。在DC-DC转换器中，特别是半桥、全桥和LLC谐振转换器中，该器件可用于实现高效的直流电压变换，适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。
　　在逆变器系统中，如太阳能光伏逆变器、风力发电变流器和UPS不间断电源中，IXFH26N50Q常被用作DC-AC转换级的开关元件，凭借其快速开关能力和良好的热性能，支持高频率操作以减小磁性元件体积。此外，在电机驱动领域，尤其是感应电机和永磁同步电机的驱动电路中，该MOSFET可用于构建H桥或三相逆变桥，实现精确的速度和转矩控制。
　　其他应用还包括高频焊接设备、激光电源、医疗电源以及各类高功率LED驱动电源。由于其具备较高的电流承载能力和良好的动态特性，IXFH26N50Q也适用于需要突发大电流输出的脉冲功率系统。总之，凡是需要高效、可靠且高电压阻断能力的功率开关场合，IXFH26N50Q都是一个极具竞争力的选择。

STFW26N50M, FQP26N50, IRFP460LC, HUF75547P3