时间：2025/9/2 0:27:49
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H9YA1GA1GHMYAR-2YMR-C 是由SK海力士（SK hynix）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR5（低功耗双倍数据速率第五代）内存系列，专为移动设备和高性能计算（HPC）应用设计，提供了更高的带宽、更低的功耗和更高的容量密度。
类型：LPDDR5 SDRAM
容量：8GB（64Gb）
电压：1.05V（VDD/VDDQ）
时钟频率：6400Mbps
封装类型：FBGA
封装尺寸：134-ball
数据宽度：16位
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9YA1GA1GHMYAR-2YMR-C 采用了先进的1y纳米级制造工艺，具备出色的能效比，适用于高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及高性能嵌入式系统。该器件支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、预充电节能模式（Precharge Power Down）等，以延长设备的电池寿命。
此外，该芯片具备出色的信号完整性和稳定性，支持命令/地址（CA）奇偶校验、写入校验模式（Write CRC）和读取校验模式（Read CRC）等高级功能，确保数据传输的可靠性。它还支持动态电压和频率调整（DVFS），以适应不同的工作负载需求。
在封装技术方面，H9YA1GA1GHMYAR-2YMR-C 采用堆叠封装（PoP）兼容的134-ball FBGA封装，支持高密度主板设计，节省空间并提升系统集成度。
该芯片广泛应用于高端移动设备如旗舰智能手机和平板电脑、高性能计算模块、图形处理单元（GPU）缓存、人工智能加速器、网络设备以及需要大容量高速内存的嵌入式系统中。其低功耗特性和高性能使其成为5G通信设备、AR/VR设备、边缘计算设备的理想选择。
H9HKNNN8PSMCTR-NEE0, H9HA25A8GTFRCT-NEE0
