IXFH26N50P3 时间：2025/12/29 13:35:50 阅读：9

IXFH26N50P3 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具备较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于多种高功率和高频率的应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　漏极电流(Id)：26A
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω
　　栅极电荷(Qg)：75nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

特性

IXFH26N50P3 的主要特性之一是其先进的沟槽技术，这有助于降低导通电阻并提高效率。其低导通电阻（Rds(on)）为 0.22Ω，使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件的漏极电流额定值为 26A，能够满足高功率需求。
　　该 MOSFET 还具备优异的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下正常工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛的工业环境。同时，该器件的栅极电荷（Qg）为 75nC，这有助于提高开关速度并降低开关损耗，从而在高频应用中表现良好。
　　IXFH26N50P3 的封装形式为 TO-247，这种封装方式不仅提供了良好的散热性能，还便于在 PCB 上安装和使用。该器件的功率耗散能力为 200W，能够在高功率负载下保持稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 设计用于高效率的开关应用，具备快速的开关速度和较低的开关损耗。这使得它非常适合用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制和功率放大器等应用领域。

应用

IXFH26N50P3 主要应用于高功率和高频率的电力电子设备中。由于其优异的导通性能和开关特性，该器件广泛用于开关电源（SMPS）、逆变器、DC-AC 转换器、UPS 系统以及电机驱动器等场景。
　　在开关电源中，IXFH26N50P3 可以作为主功率开关使用，帮助实现高效率的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频率开关操作中表现优异，降低了开关损耗并提高了整体效率。
　　在电机驱动和变频器应用中，该 MOSFET 可以作为功率开关元件，用于控制电机的运行状态。其高电流能力和良好的热稳定性确保了在高负载条件下仍能可靠运行。
　　此外，该器件也可用于太阳能逆变器和储能系统中，作为关键的功率转换元件。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能，IXFH26N50P3 能够有效支持这些系统的高效运行。