时间：2025/9/1 15:33:49
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IS43R86400D-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于ISSI的异步DRAM产品系列。该器件提供64Mbit的存储容量，采用x8或x4的组织结构，适用于对存储密度和速度有一定要求的嵌入式系统和网络设备。IS43R86400D-6BLI 采用54引脚TSOP封装，工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），适合在较严苛的工业环境中使用。
容量：64 Mbit
组织结构：x4/x8
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-TSOP
数据保持电压：2.0V（最小）
最大时钟频率：无（异步DRAM）
IS43R86400D-6BLI 具备低功耗和高速访问的特性，适用于需要较高数据吞吐量但对功耗敏感的应用场景。其异步接口设计简化了系统集成，同时该芯片具备宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了设计的灵活性，能够兼容多种电源管理方案。此外，该DRAM芯片支持自动数据刷新（Auto-refresh）和自刷新（Self-refresh）功能，确保了数据的稳定性和可靠性。
该芯片的54ns访问时间使其适用于需要快速响应的系统，同时其TSOP封装有助于提高散热性能和空间利用率。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使得该芯片可在恶劣环境下稳定工作，广泛应用于工业控制、通信设备、视频采集和存储设备等领域。
IS43R86400D-6BLI 的异步工作模式不需要外部时钟信号，降低了时序设计的复杂度。此外，它具备低待机电流和深度掉电模式，有助于在系统休眠时降低功耗，延长设备续航时间。
IS43R86400D-6BLI 主要应用于工业自动化控制系统、网络设备（如路由器和交换机）、视频监控系统、嵌入式设备、手持设备、测试仪器和图像处理设备等需要高速存储和低功耗运行的场合。
IS43R86400B-6BLI, IS43R81600D-6BLI, IS43R83200D-6BLI
