时间：2025/12/29 13:25:36
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IXFH24N90P是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流功率MOSFET。该器件采用了先进的沟道技术，能够在高电压下提供卓越的性能和效率。其封装设计便于散热，适合高功率应用。IXFH24N90P广泛应用于工业电源、电动机控制、电动汽车和电力电子变换器等领域。
类型：MOSFET
最大漏极电流（ID）：24A
最大漏源电压（VDS）：900V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.38Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值为4.5V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
IXFH24N90P具有多个显著特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（900V）使其适用于高压电源和工业设备。其次，低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够支持大功率负载。
在热管理方面，IXFH24N90P采用了优化的封装设计，提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其栅极驱动特性也经过优化，使得开关损耗较低，提高了整体性能。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性和稳定性。其坚固的结构设计使其在高应力环境下也能保持优异的性能。
IXFH24N90P主要用于高功率和高电压应用，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充电系统。它也适用于电力电子变换器、开关电源（SMPS）和高功率LED驱动器等应用。由于其优异的导通和开关性能，IXFH24N90P在需要高效能和高可靠性的系统中具有广泛的应用前景。
STW20NM90, FCH900N65S3, FCP900N65S3
