时间：2025/9/15 3:00:07
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BAS16VY,115 是一款由 Nexperia（原 Philips Semiconductors）制造的双列小外形晶体管（SOT23）封装的硅基二极管阵列。它内部集成了两个独立的高速开关二极管，采用共阴极配置。这种配置使得它在许多需要两个二极管共享一个公共端的应用中非常有用，例如信号分离、电压钳位、逻辑电路等。由于其高速开关特性和低正向压降，BAS16VY 非常适合用于数字电路、通信设备和电源管理电路中。
类型：二极管阵列
配置：共阴极双二极管
封装类型：SOT23
最大正向电流（IF）：100 mA
峰值反向电压（VR）：75 V
正向电压降（VF）：1 V @ 10 mA
反向漏电流（IR）：100 nA @ 75 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
结电容（Cj）：5 pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：4 ns（典型值）
BAS16VY,115 的主要特性包括其高速开关性能和低正向压降。其反向恢复时间（trr）仅为4 ns，这使得该器件非常适合用于高频开关应用。正向电压降为1 V（在10 mA条件下），这在同类二极管中属于较低水平，有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件的反向漏电流非常低，典型值为100 nA，即使在高反向电压下也能保持良好的稳定性。
该器件的封装为SOT23，这是一种非常常见且紧凑的表面贴装封装形式，适用于自动化装配和高密度PCB布局。由于其共阴极配置，BAS16VY 可以简化电路设计，特别是在需要两个二极管共享一个公共端的应用中，如逻辑门电路、电平转换器和信号隔离电路。
BAS16VY,115 还具有良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。其低结电容（典型值为5 pF）也使其在高频信号处理应用中表现出色，例如射频（RF）信号路径中的隔离或保护。
BAS16VY,115 主要用于需要高速开关和低正向压降的场合。典型应用包括数字逻辑电路中的信号隔离、电压钳位、电平转换以及保护电路。在通信系统中，它可以用于射频信号路径中的隔离器或保护电路，防止反向信号干扰主信号路径。
在电源管理应用中，BAS16VY 可用于DC-DC转换器或电池充电电路中，作为快速恢复二极管使用。此外，它也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、仪表盘显示和车载娱乐系统，因为它可以在较宽的温度范围内稳定工作。
由于其共阴极结构，BAS16VY 还可用于构建OR逻辑门电路，例如在冗余电源系统中选择多个电源输入之一。在音频和视频信号路径中，它也可以用于防止电流倒流或作为保护二极管，以防止静电放电（ESD）损坏敏感电路。
BAS16-04, BAS16DW, BAS16H, BA384B
