时间：2025/8/5 23:04:07
阅读：23
IXFH23N86Q是一款由Littelfuse（原IXYS Corporation）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、高功率密度的场合。这款MOSFET采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能，适用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电系统以及工业控制设备等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：860V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：23A
导通电阻（RDS(on)）：175mΩ（最大值）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
引脚数：3
IXFH23N86Q具备多项优异特性，使其在高性能电源设计中表现突出。首先，其高耐压能力（860V）和较大的连续漏极电流（23A）使该器件适用于高功率开关应用，例如高压电源转换器和工业电机驱动器。其次，低导通电阻（最大175mΩ）有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少散热需求，从而提升整体系统可靠性。
此外，该MOSFET采用TO-247AC封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。其高栅极绝缘能力（±20V）提供了更强的抗干扰能力，防止因栅极电压波动而引起的误触发。IXFH23N86Q还具备快速开关特性，减少开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关电源设计。
IXFH23N86Q广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、工业电源系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种类型的高功率开关电路。由于其高电压和大电流能力，该器件特别适合需要高效率、高稳定性的工业和通信电源系统。
IXFH23N86P、IXFH26N86Q、IXFH23N85Q、IXFH28N86Q
