IXFH23N60Q 时间：2025/12/29 14:20:02 阅读：7

IXFH23N60Q 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，具有高功率密度和优良的热性能。该器件适用于高电压、高电流的功率应用，如开关电源、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制。其主要特点包括低导通电阻、高耐压能力以及优化的封装设计，能够提供出色的散热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：23A
　　最大功耗(Pd)：250W
　　导通电阻(Rds(on))：0.24Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFH23N60Q 的一个重要特性是其低导通电阻（Rds(on)）为 0.24Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具有 600V 的高漏源击穿电压，适用于中高功率应用。其 TO-247AC 封装形式不仅便于安装，而且具备良好的热管理能力，有助于将热量快速传导出去，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该 MOSFET 还具备出色的抗雪崩能力和短路耐受能力，使其在高应力条件下仍能保持稳定运行。此外，IXFH23N60Q 的栅极驱动特性优化，可在较宽的频率范围内实现高效的开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关应用。这些特性使得 IXFH23N60Q 在工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动车辆功率系统中具有广泛的应用前景。

应用

IXFH23N60Q 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及可再生能源系统如太阳能逆变器。由于其高耐压、低导通电阻和优异的热管理能力，该器件特别适合需要高效能、高可靠性的功率转换场合。在电机控制应用中，它可以用于实现高效节能的电机驱动方案。此外，在电动汽车或储能系统中，IXFH23N60Q 也可用于功率管理电路，提供稳定的功率输出。