时间：2025/8/6 9:32:45
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IXFH220N06T3 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供高效率、低导通电阻和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制和工业电源系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
最大功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
引脚数：3
IXFH220N06T3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低导通损耗，提高系统效率。该器件具有高电流承载能力，能够支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
此外，该 MOSFET 的热阻较低，有助于改善热管理和延长器件寿命。其封装形式为 TO-263（D2Pak），便于表面贴装，适合自动化生产流程。
该器件还具备优异的开关性能，可减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），可兼容多种驱动电路设计，提高系统灵活性。
内置的体二极管具备良好的反向恢复特性，适用于需要快速恢复的电路环境，如同步整流和电机驱动应用。
IXFH220N06T3 主要用于各类高功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、服务器电源、电信电源系统、电池管理系统、工业电机控制、负载开关和高功率电源模块。
在服务器和电信电源系统中，该 MOSFET 可用于高效能电源转换，提高整体能效并减少热量产生。
在电机控制和电池管理系统中，其高电流能力和低导通电阻可显著提高系统效率并延长电池使用寿命。
由于其优异的开关性能和热管理能力，该器件也广泛应用于高频率开关电源和功率因数校正（PFC）电路中。
IRF220N06T3, IXTK220N06T4, IPU60R028C7
