时间：2025/12/29 13:23:52
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IXFH21N50是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件专为高电压和高电流应用而设计，适用于电源转换、电机控制、逆变器和各种工业设备中的功率开关应用。IXFH21N50采用了先进的技术，确保了在高温和高压条件下仍能保持良好的性能和稳定性。该MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：21A
最大功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω
栅极电荷(Qg)：60nC
输入电容(Ciss)：1400pF
IXFH21N50具有多项出色的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为500V，能够承受高电压应力，适用于各种高压电源系统。其次，最大连续漏极电流为21A，使得该MOSFET能够在高电流条件下稳定运行，适用于电机驱动和电源转换器等应用。
该器件的导通电阻（Rds(on)）为0.22Ω，这一较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，IXFH21N50的最大功率耗散为200W，结合TO-247封装的良好散热性能，确保了在高功率条件下的稳定性和可靠性。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）为60nC，输入电容（Ciss）为1400pF，这些参数保证了在高频开关应用中的快速响应能力，降低了开关损耗。IXFH21N50还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。
由于其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，IXFH21N50被广泛应用于开关电源（SMPS）、逆变器、UPS系统、电动工具和工业自动化设备中。该器件的设计确保了在高电压和高电流条件下的稳定性和长寿命，是许多高性能功率系统的理想选择。
IXFH21N50主要应用于各种高电压和高电流的功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、LED驱动器、电池充电器以及工业自动化和控制设备。由于其优异的导通特性和热稳定性，该MOSFET也常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。
STP25NM50N, IRFP460LC, FQA20N50
