IXFH18N65 时间：2025/8/6 6:54:51 阅读：30

IXFH18N65是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高功率应用场景。该器件采用了先进的平面DMOS技术，能够在高电压下提供优异的性能和可靠性。其650V的漏源击穿电压使其适用于各种开关电源、电机控制和逆变器应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：18A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

特性

IXFH18N65具有低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作时功率损耗更小，从而提高整体效率。
　　该MOSFET采用了先进的平面DMOS工艺，确保了器件在高电压应用中的稳定性和耐用性。
　　其高耐压特性（650V Vds）使其适用于各种高电压开关应用，如电源适配器、电机驱动器和UPS系统。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持性能稳定。
　　封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适用于需要高效散热的高功率应用。
　　由于其优异的开关特性，IXFH18N65在高频开关电路中表现良好，能够有效减少开关损耗。

应用

IXFH18N65广泛应用于各种高功率和高电压电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）系统和电机驱动器。
　　它也常用于工业控制系统、家电电源管理以及LED照明驱动电路。
　　此外，该MOSFET还可用于电信电源设备、太阳能逆变器以及电池管理系统等应用。
　　由于其高可靠性和低导通电阻，IXFH18N65在需要高效能和高稳定性的场合中表现出色。