类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：17A（连续）
　　栅极电压范围（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.33Ω
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

IXFH17N60具有多项出色的电气和热性能，使其在高压高功率应用中表现优异。首先，它的漏源电压额定值为600V，能够适应多种高压系统的设计需求。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为17A，使其适用于高电流负载的应用。此外，IXFH17N60的导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值仅为0.33Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，可达±20V，提供了较大的设计灵活性，并确保稳定的栅极控制。同时，IXFH17N60采用TO-247封装形式，这种封装具有良好的散热性能，有助于降低工作温度并提高器件的可靠性。
　　另外，IXFH17N60在极端温度条件下仍能保持稳定的工作性能，其工作温度范围为-55°C至150°C，适合在恶劣环境中使用。

IXFH17N60适用于多种高功率电子系统。在开关电源（SMPS）中，它可用作主开关器件，实现高效率的能量转换。在逆变器系统中，该MOSFET可用于DC-AC转换，支持太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等应用。此外，在马达控制电路中，IXFH17N60可用于驱动高功率直流或交流马达，提供稳定的控制性能。焊接设备、感应加热系统和工业自动化设备也是该器件的典型应用场景。

IXFH17N60P, IXFH17N60Q