2SC5876T106R是一种NPN型硅双极晶体管,广泛应用于高频、低噪声放大电路和开关电路。该型号晶体管适用于高频通信设备、射频模块和其他需要高性能的电子电路中。其特点在于具备较高的电流增益、较低的噪声系数以及良好的频率特性。
集电极-发射极电压(Vce):40V
集电极最大电流(Ic):0.3A
功率耗散(Ptot):310mW
直流电流增益(hFE):120~450
过渡频率(fT):2GHz
结温范围(Tj):-55℃~150℃
2SC5876T106R晶体管具有以下显著特性:
1. 高频率响应能力,使其非常适合于射频和高频应用。
2. 较高的直流电流增益(hFE),能够在低输入信号下提供较大的输出电流。
3. 低噪声性能,适合对信噪比要求严格的场合。
4. 良好的热稳定性,能够适应较宽的工作温度范围。
5. 小封装尺寸,便于在紧凑型设计中使用。
该晶体管主要应用于以下领域:
1. 射频放大器及混频器电路。
2. 无线通信设备中的低噪声放大器。
3. 高速开关电路。
4. 音频前置放大器。
5. 测试测量仪器中的信号调理电路。
2SC5876, 2SC5876-T106, MMBT3904