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2SC5876T106R 发布时间 时间:2025/4/28 21:20:47 查看 阅读:2

2SC5876T106R是一种NPN型硅双极晶体管,广泛应用于高频、低噪声放大电路和开关电路。该型号晶体管适用于高频通信设备、射频模块和其他需要高性能的电子电路中。其特点在于具备较高的电流增益、较低的噪声系数以及良好的频率特性。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极最大电流(Ic):0.3A
  功率耗散(Ptot):310mW
  直流电流增益(hFE):120~450
  过渡频率(fT):2GHz
  结温范围(Tj):-55℃~150℃

特性

2SC5876T106R晶体管具有以下显著特性:
  1. 高频率响应能力,使其非常适合于射频和高频应用。
  2. 较高的直流电流增益(hFE),能够在低输入信号下提供较大的输出电流。
  3. 低噪声性能,适合对信噪比要求严格的场合。
  4. 良好的热稳定性,能够适应较宽的工作温度范围。
  5. 小封装尺寸,便于在紧凑型设计中使用。

应用

该晶体管主要应用于以下领域:
  1. 射频放大器及混频器电路。
  2. 无线通信设备中的低噪声放大器。
  3. 高速开关电路。
  4. 音频前置放大器。
  5. 测试测量仪器中的信号调理电路。

替代型号

2SC5876, 2SC5876-T106, MMBT3904

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2SC5876T106R参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 50mA,2V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换300MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SC5876T106RTR