IXFH1799 时间：2025/8/6 10:11:20 阅读：10

IXFH1799是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率和高频开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点。IXFH1799常用于电源转换器、电机控制、太阳能逆变器、UPS系统和工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：900V
　　连续漏极电流(ID)：17A
　　导通电阻(RDS(on))：0.48Ω
　　栅极电荷(Qg)：50nC
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散(PD)：200W

特性

IXFH1799具有出色的电性能和热性能，其低导通电阻可减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的开关性能，适用于高频开关应用。此外，IXFH1799具备高耐压能力，可承受高达900V的漏源电压，适用于高压系统的应用。其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率环境下稳定运行。
　　在可靠性方面，IXFH1799具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在高应力条件下保持稳定工作。该MOSFET还具有良好的抗短路能力，适用于需要高可靠性的工业和电源应用。此外，IXFH1799的栅极驱动要求适中，兼容标准的MOSFET驱动电路，简化了设计和应用。

应用

IXFH1799适用于多种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路。由于其高耐压和良好的热性能，该MOSFET也广泛用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统和工业自动化设备中的功率控制模块。此外，IXFH1799还可用于高功率LED照明驱动电路和电动汽车充电系统。