IXFH16N50P3 时间：2025/12/29 14:21:46 阅读：8

IXFH16N50P3是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器、电机控制和工业自动化设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热性能，适合高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：500V
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247AC
　　导通电阻（Rds(on)）：0.32Ω（最大值）
　　功耗（Ptot）：160W
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）

特性

IXFH16N50P3具有优异的导通和开关性能，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了电源系统的效率。此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，具备良好的热稳定性和耐用性，适合在高温环境下使用。其封装形式为TO-247AC，便于安装和散热，适用于高功率密度设计。该器件还具有快速开关能力，适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，确保稳定的导通状态。其雪崩能量承受能力较强，能够在瞬态过电压条件下保持安全运行。另外，该器件具有较低的输出电容（Coss），有助于降低开关损耗，提高系统整体效率。这些特性使得IXFH16N50P3在工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域得到广泛应用。

应用

IXFH16N50P3适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、电机控制驱动器、电池管理系统、逆变器和工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其在高效率电源转换系统中表现出色，尤其适用于需要在高温和高负载条件下运行的工业和汽车应用。此外，该MOSFET也适用于UPS系统、LED照明驱动器和储能系统等需要高可靠性的场合。