您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFH15N80Q

IXFH15N80Q 发布时间 时间:2025/8/6 11:47:26 查看 阅读:25

IXFH15N80Q是一款由IXYS公司生产的高电压N沟道增强型功率MOSFET,专为高电压和高功率应用而设计。该器件具有较低的导通电阻(RDS(on)),同时支持高达800V的漏源电压(VDS)和15A的连续漏极电流(ID)。IXFH15N80Q适用于电源转换器、电机控制、开关电源(SMPS)、逆变器以及各种工业和消费类电子设备中的高效率功率开关应用。

参数

型号: IXFH15N80Q
  类型: N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS): 800V
  最大漏极电流(ID): 15A
  导通电阻(RDS(on)): 0.35Ω(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)): 3.5V~6V
  最大功耗(PD): 180W
  工作温度范围: -55°C~150°C
  封装类型: TO-247

特性

IXFH15N80Q具备一系列优异的电气特性和设计优势,能够满足高电压和高功率应用的需求。其主要特性包括:
  1. **高电压耐受能力**:800V的漏源电压额定值使该器件适用于高压电源转换和工业控制应用,能够有效减少电路中的电压降和功率损耗。
  2. **低导通电阻**:典型值为0.35Ω的RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。
  3. **高速开关特性**:该MOSFET具备快速的开关速度,能够有效降低开关损耗,适用于高频操作环境。
  4. **高可靠性设计**:采用了先进的硅工艺和封装技术,确保在高温和高电流条件下仍能稳定运行。
  5. **宽温度范围**:支持从-55°C到150°C的工作温度范围,适用于严苛的工业和汽车环境。
  6. **热保护功能**:由于其封装和材料设计,该器件在高功率操作时具备良好的热稳定性,可防止过热损坏。
  这些特性使IXFH15N80Q成为高效率功率转换系统的理想选择。

应用

IXFH15N80Q广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中,包括:
  1. **开关电源(SMPS)**:用于计算机电源、服务器电源和工业电源系统中的高效率功率转换。
  2. **逆变器和UPS系统**:适用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中的直流到交流转换模块。
  3. **电机控制**:用于交流电机驱动器和伺服控制系统中的高电压功率开关。
  4. **照明系统**:用于LED驱动电源和高亮度照明设备中的功率调节模块。
  5. **工业自动化设备**:适用于工业控制和自动化系统中的高电压功率管理电路。
  6. **消费电子产品**:如高功率适配器、充电器和家用电器中的功率管理模块。
  7. **汽车电子系统**:如电动车(EV)和混合动力车(HEV)中的电池管理系统和功率转换模块。
  由于其高可靠性和高效能特性,IXFH15N80Q是许多高压和高功率应用中的首选MOSFET。

替代型号

IXFH15N80P, IXFH15N80QF, IXFH15N80T

IXFH15N80Q推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFH15N80Q资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXFH15N80Q参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4300pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件