类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大漏极电流（Id）：15 A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38 Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1 V 至 4.0 V
　　最大功耗（Pd）：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247AC

IXFH15N65 MOSFET 的设计旨在提供高效的功率转换能力，适用于高电压环境下的开关操作。其主要特性包括：
　　1. **高击穿电压能力**：该器件的漏源击穿电压为 650 V，使其适用于高电压输入的应用，如 AC/DC 转换器、离线电源和高压马达控制。
　　2. **低导通电阻**：Rds(on) 最大值为 0.38 Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。这使得 IXFH15N65 非常适合用于需要高效率的电源系统。
　　3. **优秀的热性能**：采用 TO-247AC 封装，具备良好的散热性能，能够在较高功耗下稳定运行，延长了器件的使用寿命。
　　4. **快速开关特性**：该 MOSFET 提供快速的开关响应，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统性能。
　　5. **高可靠性**：IXYS 在功率半导体领域拥有良好的声誉，IXFH15N65 经过严格测试，确保在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
　　6. **宽工作温度范围**：-55°C 至 150°C 的工作温度范围，使其适用于各种工业和恶劣环境应用。

IXFH15N65 被广泛应用于各种高电压和高功率的电子系统中，包括：
　　1. **电源供应器**：在开关电源（SMPS）、AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器中，用于高效的功率转换。
　　2. **电机驱动和控制**：适用于电机控制电路，尤其是高压马达或工业自动化设备。
　　3. **照明系统**：用于电子镇流器、LED 驱动器和高压气体放电灯控制。
　　4. **逆变器和 UPS 系统**：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为主要的功率开关元件。
　　5. **电池管理系统**：在高压电池组中用于充放电控制和保护电路。
　　6. **工业自动化和控制设备**：用于各种需要高压和高功率切换的工业控制系统。

STP15NK60Z, FQP15N60C, IRFGB40N60B, IXFH16N65