时间：2025/8/6 2:22:11
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IXFH13N110是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率和高频率的电力电子系统中。该器件采用了先进的平面技术，具备较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及太阳能逆变器等领域。IXFH13N110具有1100V的漏源击穿电压（Vds），最大连续漏极电流为13A，在高电压环境下仍能保持良好的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1100V
最大漏极电流（Id）：13A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约0.65Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V~6.5V
工作温度范围：-55°C~+175°C
封装类型：TO-247AC
功耗（Ptot）：250W
漏极-源极二极管恢复时间（trr）：快速恢复型
IXFH13N110具备多项优良的电气和热性能，使其在高压高功率应用中表现出色。该MOSFET采用先进的平面技术，优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡，从而在高频开关应用中具有更高的效率。其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，同时1100V的耐压能力使其适用于中高压功率转换系统。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至15V之间工作，确保在不同控制电路下都能获得良好的导通性能。此外，IXFH13N110的封装设计（TO-247AC）提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的热稳定性。
IXFH13N110还具备良好的抗雪崩能力和较高的短路耐受性，从而提高了系统在异常工况下的可靠性。由于其快速恢复的内部体二极管，该MOSFET在同步整流和能量回馈应用中也表现优异。
IXFH13N110广泛应用于多种高压功率电子设备中，包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、开关电源（SMPS）以及工业自动化控制系统。由于其高电压耐受能力和良好的导通特性，该器件特别适用于需要高效能、高可靠性的中高压功率转换系统。
IXFH15N110, IXFH10N110P, IXFN15N110
