时间：2025/8/6 13:05:25
阅读：24
IXFH12N120P是一款由Littelfuse（原IXYS Corporation）生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，专为需要高电压和高电流能力的功率转换和控制应用设计。该器件采用TO-247封装，具有优异的导通性能和耐用性，适用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：12A
漏源电压（Vds）：1200V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值1.25Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：125W
输入电容（Ciss）：1000pF（典型值）
上升时间（tr）：60ns（典型值）
下降时间（tf）：30ns（典型值）
IXFH12N120P具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗并提高整体效率，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的平面技术制造，提供良好的热稳定性和可靠性。此外，该MOSFET内置快速恢复二极管，有助于减少反向恢复损耗，从而提高系统效率。
其TO-247封装设计具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强系统的可靠性和安全性。
此外，IXFH12N120P的栅极驱动特性优化，适用于标准和高速驱动电路，并具有较低的开关损耗。这使得该器件非常适合用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路等高性能功率应用。
IXFH12N120P广泛应用于高功率电源系统，如工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车车载充电器（OBC）、电机驱动器和智能电网设备。其高耐压能力和良好的热性能也使其适用于高频开关电源、LED照明驱动器和各种功率调节系统。该器件还可用于高能效的家电控制模块、焊接设备以及电力储能系统。
IXFH12N120T, IXFH10N120P, IXFH15N120P
