时间：2025/12/29 13:23:09
阅读：11
IXFH120N15P 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电流、高效率的功率电子应用。这款 MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为 150V，最大漏极电流（ID）为 120A，适用于需要高电流处理能力和低导通电阻的场合。该器件采用 TO-247AC 封装，具有良好的热管理和电气性能，适合用于工业电机控制、电源转换、DC-DC 转换器、电池充电器等场景。
漏源电压 VDS：150V
漏极电流 ID：120A
栅源电压 VGS：±20V
导通电阻 RDS(on)：典型值为 6.5mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247AC
IXFH120N15P 的设计使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻 RDS(on) 确保了在大电流条件下的低功率损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件的高电流承载能力（120A）使其能够应对高负载需求，适用于如电机控制和电源转换等应用。
此外，IXFH120N15P 的 TO-247AC 封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件在高温环境下的稳定性。其栅极驱动电压范围为 ±20V，确保了在各种驱动电路中的可靠工作。该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了器件在恶劣工作环境中的可靠性。
IXFH120N15P 主要应用于高功率电子系统，如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及各种工业控制设备。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器和电机控制器，以实现高效能和高可靠性的电力转换。此外，该 MOSFET 还适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率开关应用，能够在高电压和高电流条件下保持稳定的性能。
[
"IXFH100N15P",
"IXFH150N15P",
"IRFP260N",
"STP120N15K5"
]
