时间：2025/8/6 11:04:31
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IXFH10N100是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有高阻断电压能力、低导通电阻以及快速开关特性，是电力电子系统中常用的开关元件。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A
漏源极击穿电压（Vds）：1000V
栅源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.85Ω @ Vgs = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXFH10N100的主要特点包括其高电压阻断能力，使其适用于高电压直流（HVDC）转换器和逆变器应用。该MOSFET具有低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，适合高频操作。该器件的热稳定性良好，可以在较高的温度环境下可靠运行。此外，IXFH10N100采用了坚固的TO-247封装，提供了良好的散热性能，确保了在高功率应用中的稳定性。
这款MOSFET还具有较高的抗雪崩能力和坚固的结构设计，以应对高能脉冲和极端工作条件。这种特性使其在诸如电源转换器、电机控制、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用中表现出色。此外，该器件的栅极驱动要求相对较低，简化了驱动电路的设计。
IXFH10N100广泛应用于电力电子设备，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机、太阳能逆变器以及各种高电压直流转换器。由于其高电压和高效率特性，它也非常适合用于需要可靠性和高稳定性的工业自动化和控制系统。
STF10N100, FGL10N100
