时间：2025/6/23 17:58:13
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GCQ1555C1HR70WB01D 是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件通常用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中，具有良好的热稳定性和电气性能。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：42A
导通电阻Rds(on)：4.5mΩ
功耗Pd：339W
封装形式：TO-263-3L
GCQ1555C1HR70WB01D采用先进的制造工艺，具有低导通电阻以减少功率损耗，并提供更高的系统效率。
该器件具备快速开关速度，能够有效降低开关损耗，非常适合高频应用。
其出色的热性能确保了在高温环境下的稳定运行，同时具备较高的电流承载能力，支持大功率输出。
此外，它还具有抗静电保护功能，能够增强器件的可靠性与耐用性。
GCQ1555C1HR70WB01D广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于开关电源(SMPS)中的功率转换模块、DC-DC变换器、逆变器、电机控制驱动电路、负载切换电路以及电池管理系统(BMS)等。它的高效率和低热阻特性使其成为现代高效能设备的理想选择。
GCQ1555C1HR70WB02D
IRFZ44N
STP40NF06L
