时间：2025/8/6 6:15:52
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IXFE48N50QD3是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由IXYS公司生产。该器件专为高功率和高频率开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：48A
最大漏源电压：500V
导通电阻（Rds(on)）：0.125Ω（最大）
栅极电压范围：±20V
功耗：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-247
IXFE48N50QD3采用了先进的平面技术和沟槽栅极设计，确保了其在高频率下的优异性能。该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，其高耐压能力使其适用于多种高压应用环境。
该器件的热性能也经过优化，能够在高温环境下稳定工作，提高了整体系统的可靠性。其封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适用于高功率密度的设计。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，进一步增强了其在严苛工作环境下的适用性。
IXFE48N50QD3广泛应用于需要高效功率转换和高可靠性的场合。例如，它可用于工业电源系统中的DC-DC转换器和AC-DC电源模块。此外，该MOSFET也适用于电机驱动器和变频器，提供稳定的功率输出。
在可再生能源领域，IXFE48N50QD3可用于太阳能逆变器和风能转换系统，帮助实现高效的能量转换和管理。同时，它也是电动汽车充电设备中的关键组件，支持高电压和大电流的快速充电需求。
IXFE48N50P、IXFE48N50Q、IXFE48N50QD1
