IXFC14N80P 时间：2024/9/25 9:21:42 阅读：420

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：PolarHV?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：770毫欧 7A,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：800V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：8A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：5.5V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：61nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：3900pF 25V
　　功率-最大：130W

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：ISOPLUS220?
　　包装：管件

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IXFC14N80P
深圳市腾桩电子有限公司
4800
IXYS
23+/ISOPLUS220

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深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/ISOPLUS220

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深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS
23+/ISOPLUS220

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深圳市科鑫美电子有限公司
28683
IXYS
21+/TO220

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深圳市佳微科技有限公司
9000
ON Semiconductor
23+/-

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深圳市跃创芯科技有限公司
25000
IXYS
22+/ISOPLUS220

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深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS
23+/ISOPLUS220

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深圳市创芯联盈电子有限公司
4500
IXYS
23+/ISOPLUS220

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中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS
21+/ISOPLUS220

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深圳市辉华拓展科技有限公司
12044
IXYS/艾赛斯
21+/TO220

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深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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23+/ISOPLUS220

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深圳市华美锐电子有限公司
52701
IXYS/艾赛斯
22+/TO220

IXFC14N80P
深圳市科鑫美电子有限公司
6500
IXYS
21+/ISOPLUS220

IXFC14N80P
深圳市大联智电子有限公司
4500
IXYS
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深圳市群川盛达电子有限公司
20000
IXYSLittelfuse
24+/TO220F

IXFC14N80P
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
IXYS
2020+/MOSFET NCH 800V 8A ISOPLUS220

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深圳市琦凌凯科技有限公司
60000
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中扬电子（深圳）有限公司
6000
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22+/ISOPLUS220

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深圳市华琳达科技有限公司
69000
IXYS/艾赛斯
21+/ISOPLUS22

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IXFC14N80P参数

标准包装50
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarHV™ HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C770 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）5.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 25V
功率 - 最大130W
安装类型通孔
封装/外壳ISOPLUS220?
供应商设备封装ISOPLUS220?
包装管件

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