IXFB80N50Q 时间：2025/8/5 19:40:44 阅读：26

IXFB80N50Q 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流、高电压的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于工业电源、电机驱动、电源转换器以及不间断电源（UPS）等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏-源电压（VDS）：500V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IXFB80N50Q 具备一系列优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏-源电压（VDS）可达500V，适用于高压功率转换系统。
　　该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了良好的热稳定性和耐用性，确保在高温环境下也能正常工作。
　　其快速开关特性降低了开关损耗，有助于提高系统的工作频率，适用于高频开关电源和电机控制应用。
　　封装采用TO-247标准封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于在各种功率电路中安装和使用。

应用

IXFB80N50Q 被广泛应用于多种高功率电子设备中，例如：工业电源、电机驱动器、DC-AC逆变器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器和电焊机等。
　　在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现高效的电机调速和方向控制。
　　在电源转换器中，如Boost和Buck转换器，IXFB80N50Q 可作为主开关元件，提供高效、稳定的功率转换功能。
　　此外，在新能源应用中，如光伏逆变器和储能系统中，该器件也发挥着关键作用，能够承受高电压和大电流的工况。
　　由于其高可靠性和良好的热管理性能，IXFB80N50Q 也常用于汽车电子和工业自动化系统中的功率管理模块。