IXFB80N50 时间：2025/8/5 19:26:58 阅读：58

IXFB80N50是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET，适用于各种高电压和高电流的应用场景，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制和UPS系统等。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高电压下提供优异的性能和效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.105Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：160nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXFB80N50具备多项优异特性，能够满足高功率应用的需求。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，同时减少了对散热器的需求。其次，该MOSFET具有高耐压能力，最大漏源电压可达500V，使其适用于高压环境。此外，该器件具有良好的热稳定性，可在恶劣环境下保持稳定运行，其热阻（Rth）较低，有助于快速散热。IXFB80N50还具备较高的短路耐受能力，增强了器件的可靠性。最后，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而进一步提升系统效率。

应用

IXFB80N50广泛应用于多个高功率领域。在开关电源（SMPS）中，它用于高效转换电能，降低功耗并提高系统稳定性。此外，该器件也适用于逆变器设计，特别是在太阳能逆变器中，其高耐压和低导通电阻特性有助于实现高效率的直流到交流转换。在电机控制应用中，IXFB80N50可用于驱动高功率电机，提供稳定的电流输出并减少发热。同时，它也适用于不间断电源（UPS）系统，确保在电力中断时能够快速切换并提供持续电力。