IXFB80N50是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET,适用于各种高电压和高电流的应用场景,如开关电源(SMPS)、逆变器、电机控制和UPS系统等。该器件采用了先进的平面技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高电压下提供优异的性能和效率。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):500V
最大漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):0.105Ω @ VGS=10V
栅极电荷(Qg):160nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247AC
IXFB80N50具备多项优异特性,能够满足高功率应用的需求。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了整体效率,同时减少了对散热器的需求。其次,该MOSFET具有高耐压能力,最大漏源电压可达500V,使其适用于高压环境。此外,该器件具有良好的热稳定性,可在恶劣环境下保持稳定运行,其热阻(Rth)较低,有助于快速散热。IXFB80N50还具备较高的短路耐受能力,增强了器件的可靠性。最后,该MOSFET的栅极电荷较低,有助于提高开关速度,减少开关损耗,从而进一步提升系统效率。
IXFB80N50广泛应用于多个高功率领域。在开关电源(SMPS)中,它用于高效转换电能,降低功耗并提高系统稳定性。此外,该器件也适用于逆变器设计,特别是在太阳能逆变器中,其高耐压和低导通电阻特性有助于实现高效率的直流到交流转换。在电机控制应用中,IXFB80N50可用于驱动高功率电机,提供稳定的电流输出并减少发热。同时,它也适用于不间断电源(UPS)系统,确保在电力中断时能够快速切换并提供持续电力。
IXFB80N50PBF