IXFB72N55是一款由IXYS公司制造的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高电流容量和较低的导通电阻,使其在电源转换和电机控制等应用中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):72A
漏极-源极电压(VDS):55V
导通电阻(RDS(on)):0.015Ω
封装类型:TO-247
IXFB72N55具有低导通电阻,能够减少导通损耗并提高效率。其高电流容量和热稳定性使其适合用于高功率密度设计。此外,该器件的封装设计有助于提高散热性能,从而增强器件的可靠性和耐用性。
该MOSFET还具有快速开关特性,使其在高频应用中表现优异,如开关电源和DC-DC转换器。其设计优化了动态性能,减少了开关损耗,并且能够在高温环境下稳定工作。
IXFB72N55广泛应用于各种电力电子设备中,包括开关电源、电机控制器、逆变器、电池充电器和工业自动化设备。它也非常适合用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统。
IXFH72N55P, IRF7470PBF