IXFB60N80P 时间：2025/8/16 10:12:36 阅读：26

IXFB60N80P是一款由IXYS公司生产的高电压N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源转换、马达控制、开关电源（SMPS）以及逆变器等高功率场合。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高电压（最高800V）下提供60A的连续漏极电流。IXFB60N80P封装设计优化，具备良好的散热性能和高可靠性，适合在高温环境下运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.145Ω（最大值0.185Ω）
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFB60N80P具有低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。该MOSFET采用了先进的平面制造工艺，使得其在高电压下依然保持优异的开关性能，从而降低了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　此外，该器件具备高栅极电荷（Qg）稳定性，支持快速的开关切换，适合用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V之间的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。
　　IXFB60N80P的封装设计采用了TO-247AC标准封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度设计，并能有效降低热阻，提高散热效率。
　　该MOSFET还具备高雪崩能量承受能力，能够在突发过压或负载突变情况下保持稳定工作，增强系统的安全性和可靠性。此外，其内部结构优化，降低了寄生电容，有助于减少高频应用中的开关损耗。

应用

IXFB60N80P适用于多种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器等。
　　在开关电源应用中，IXFB60N80P的高耐压能力和低导通电阻使其成为高效能功率转换的理想选择，能够有效提升电源效率并降低发热量。
　　在电机控制和驱动应用中，该MOSFET的高电流承载能力和快速开关特性使其适用于高性能电机驱动电路，支持精确的电流控制和高速响应。
　　此外，IXFB60N80P也常用于高压DC-DC转换器中，作为主开关器件，提供稳定的高压输入到低压输出的高效转换。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也广泛应用于工业控制和自动化系统中，如变频器、伺服驱动器等需要高功率和高效率的场合。