IS01H801G 是一款高性能、低功耗的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于各种需要精确检测磁场变化的场合。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,集成了霍尔元件和信号处理电路,能够在较宽的工作电压范围内提供稳定的输出性能。其独特的设计使其在高灵敏度、快速响应和抗干扰能力方面表现优异,非常适合工业自动化、消费电子和汽车电子等领域。
工作电压:2.5V-5.5V
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
灵敏度:10mT(典型值)
响应时间:<1μs
输出类型:数字开关输出
封装形式:SOT-23
静态电流:10μA(典型值)
IS01H801G 具备以下主要特性:
1. 高灵敏度,能够检测微弱的磁场变化。
2. 超低功耗设计,适合电池供电设备使用。
3. 宽工作电压范围,适应多种电源环境。
4. 极高的温度稳定性,在极端温度条件下仍能保持性能一致。
5. 快速响应时间,确保实时检测需求。
6. 小型化封装,便于在紧凑空间内安装。
7. 内置 EMC 保护功能,提高抗干扰能力。
IS01H801G 可应用于以下领域:
1. 汽车电子:如速度传感器、位置传感器等。
2. 工业自动化:用于无接触式开关、液位检测等。
3. 消费电子:如智能手机、平板电脑中的接近传感器。
4. 医疗设备:用于非侵入式监测装置。
5. 家用电器:例如冰箱门开关检测、洗衣机水位控制等。
AH180, TLE4935L