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IS01H801G 发布时间 时间:2025/4/30 9:38:22 查看 阅读:2

IS01H801G 是一款高性能、低功耗的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于各种需要精确检测磁场变化的场合。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,集成了霍尔元件和信号处理电路,能够在较宽的工作电压范围内提供稳定的输出性能。其独特的设计使其在高灵敏度、快速响应和抗干扰能力方面表现优异,非常适合工业自动化、消费电子和汽车电子等领域。

参数

工作电压:2.5V-5.5V
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  灵敏度:10mT(典型值)
  响应时间:<1μs
  输出类型:数字开关输出
  封装形式:SOT-23
  静态电流:10μA(典型值)

特性

IS01H801G 具备以下主要特性:
  1. 高灵敏度,能够检测微弱的磁场变化。
  2. 超低功耗设计,适合电池供电设备使用。
  3. 宽工作电压范围,适应多种电源环境。
  4. 极高的温度稳定性,在极端温度条件下仍能保持性能一致。
  5. 快速响应时间,确保实时检测需求。
  6. 小型化封装,便于在紧凑空间内安装。
  7. 内置 EMC 保护功能,提高抗干扰能力。

应用

IS01H801G 可应用于以下领域:
  1. 汽车电子:如速度传感器、位置传感器等。
  2. 工业自动化:用于无接触式开关、液位检测等。
  3. 消费电子:如智能手机、平板电脑中的接近传感器。
  4. 医疗设备:用于非侵入式监测装置。
  5. 家用电器:例如冰箱门开关检测、洗衣机水位控制等。

替代型号

AH180, TLE4935L

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