类型：双肖特基势垒二极管
　　封装：TO-277（SMB-3）、DPAK（TO-252）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：8A（单个二极管）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A（@8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.54V @ 8A, Tj=25°C（典型值），最高约0.92V
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 60V, Tj=25°C；高温下可增至5.0mA
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约50°C/W（依PCB布局而定）
　　反向恢复时间（trr）：典型值＜5ns（近似于无反向恢复电荷）

MBR860的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种金属-半导体结结构使其相比传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降。在8A的大电流工作条件下，其典型正向压降仅为0.54V左右，远低于普通硅二极管的0.7V～1.2V水平，这意味着在相同负载条件下功耗显著降低，有助于提升电源系统的转换效率并减少散热需求。同时，由于肖特基二极管的工作机制不依赖少数载流子的注入与复合过程，因此几乎不存在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），实测trr小于5ns，极大地减少了高频开关过程中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，特别适用于高频DC-DC变换器和同步整流辅助电路。
　　该器件为双二极管结构，内部两个独立的肖特基单元共享同一封装且共阴极连接方式常见，便于在单端正激、推挽或全桥拓扑中实现中心抽头次级侧的全波整流。这种集成化设计不仅节省了PCB空间，还简化了布线复杂度，提升了功率密度。此外，MBR860具备较高的浪涌电流承受能力，125A的峰值非重复浪涌电流能力使其能够应对启动瞬间或瞬态过载情况下的电流冲击，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+125°C）确保了在恶劣环境条件下的可靠性，配合良好的PCB热焊盘设计可有效传导热量，延长器件寿命。封装方面，TO-277或DPAK形式支持自动化贴片生产，适合大规模SMT工艺，提高了制造效率。整体而言，MBR860以其高效、紧凑、可靠的特点成为低压大电流整流应用中的优选方案。

MBR860主要应用于各类需要高效低压整流的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧整流元件，尤其是在输出电压为3.3V、5V或12V的低电压大电流电源模块中，其低VF特性可显著减少导通损耗，提高整体能效。在DC-DC降压或升压转换器中，MBR860可用于续流二极管（freewheeling diode）或箝位电路，利用其快速响应能力和低反向恢复效应来抑制电压尖峰，保护主开关器件如MOSFET。此外，在电池充电管理系统、LED驱动电源、便携式设备电源适配器以及嵌入式电源模块中，该器件也发挥着重要作用。
　　由于其双二极管共阴极结构，MBR860非常适合用于带有中心抽头变压器的全波整流电路，这在隔离型反激式（Flyback）或正激式（Forward）转换器中非常普遍。在工业控制系统、网络通信设备（如路由器、交换机）的板载电源中，该器件能够提供稳定可靠的整流功能。同时，在太阳能微逆变器、UPS不间断电源及汽车电子电源模块中，MBR860也被广泛采用，以实现高效的能量转换。另外，由于其快速响应特性，还可用于防止电源反接的极性保护电路，避免因错误接线导致后级电路损坏。总之，凡涉及低电压、高效率、高频工作的整流场合，MBR860都是一个极具竞争力的选择。

SR860
　　MBR860CT
　　SS860
　　MBRS860
　　DM3160