IXFB50N80Q2 时间：2025/7/24 2:14:22 阅读：3

IXFB50N80Q2 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电压和高电流的功率电子应用。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。IXFB50N80Q2 封装在 TO-247AC 外壳中，适用于各种高功率应用，例如电源转换器、逆变器、电动机控制和工业自动化设备。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：50A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFB50N80Q2 MOSFET 具有多个关键特性，使其成为高功率应用中的理想选择。首先，它具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其次，该器件具有高击穿电压能力（800V），可在高压环境下稳定运行。
　　此外，IXFB50N80Q2 采用了先进的平面技术，提供更高的热稳定性和可靠性，适用于高温工作条件。其高栅源电压（±30V）允许使用更宽范围的栅极驱动电路，从而提高设计灵活性。
　　该 MOSFET 的高漏极电流容量（50A）使其能够处理大功率负载，并支持高效率的功率转换。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　TO-247AC 封装提供了良好的热管理和电气连接，适用于高功率密度的设计需求。器件还具有出色的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和寿命。

应用

IXFB50N80Q2 广泛应用于多个高功率电子领域。在电源系统中，常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器等场合，提供高效率的功率转换。
　　在工业自动化和电机控制领域，该 MOSFET 可用于变频器、伺服驱动器和无刷直流电机控制器，实现高效的电机控制。
　　此外，IXFB50N80Q2 还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），在高压直流到交流的转换过程中发挥重要作用。
　　在电动汽车和充电基础设施中，该器件也可用于电池管理系统、车载充电器等关键模块，支持高电压和大电流的应用需求。