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IXFB30N120Q2 发布时间 时间:2024/9/25 10:33:56 查看 阅读:567

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  电流-连续漏极(Id)25°C:30A

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:ISOPLUS264?
  包装:管件

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IXFB30N120Q2参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS264?
  • 供应商设备封装ISOPLUS264?
  • 包装管件