时间：2025/8/5 13:58:26
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IXFA7N100P-TRL是一款由Littelfuse公司生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高效率电源转换和电机控制等应用。该MOSFET封装在小型DFN（Dual Flat No-leads）封装中，提供了优异的热性能和空间节省，非常适合紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：16A（最大）
漏极-源极电压（Vds）：100V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：7.2mΩ（最大，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：3.5W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN5x6
引脚数：8
IXFA7N100P-TRL采用了先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高频率下提供卓越的性能。该器件的低导通电阻可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。同时，其高电流承载能力和低热阻特性使其在高负载条件下也能保持良好的热稳定性。此外，DFN封装形式提供了优良的散热能力，有助于减少PCB上的空间占用，适合用于紧凑型电源设计。
该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力，增强了在高压和高电流条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路设计，便于在不同的应用中使用。IXFA7N100P-TRL还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等场合。
IXFA7N100P-TRL广泛应用于各种高效率电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。由于其出色的导通性能和紧凑的封装形式，该器件也常用于便携式电子设备、工业自动化控制系统以及汽车电子系统中。此外，该MOSFET还可用于电源管理模块、功率放大器和LED照明驱动电路等场合。
Si7461DP-T1-GE3, IRF7413PBF, IPB013N10N3 G INF
